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顱內(nèi)電極長程記錄在顳葉癲癇定位中的應(yīng)用

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目的 探討顱內(nèi)電極長程記錄在顳葉癲癇定位、定側(cè)中的應(yīng)用,評價其臨床價值。方法:60例經(jīng)顱內(nèi)電極定位的顳葉癲癇患者,電極類型采用硬膜下條狀、柵狀以及深部電極.

手術(shù)方式包括

顱骨鉆孔電極植入、立體定向深部電極植入和骨瓣開顱電極植入。結(jié)果:額-顳皮層電極植入34例,額-顳前-顳枕交界電極植入7例,雙顳皮層電極植入7例,深部電極聯(lián)合顳葉皮層電極植入7例,顳前-顳枕交界電極植入3例,條狀電極聯(lián)合柵狀電極植入2例。手術(shù)方式包括前顳葉切除術(shù)50例,聯(lián)合額葉致癇灶切除7例,聯(lián)合胼胝體切開1例,顳后枕新皮層癇灶切除聯(lián)合海馬杏仁核切除2例。結(jié)論:顱內(nèi)電極長程記錄是一種有效的檢查方法和重要的定位手段,可應(yīng)用于無創(chuàng)評估方法難以定位、定側(cè)的顳葉癲癇。

顳葉癲癇(TLE)是癲癇的一類較常見類型,其手術(shù)的有效性已得到公認,對致癇灶位置和側(cè)別的判定是手術(shù)治療的前提和關(guān)鍵。顱內(nèi)電極長程視頻腦電監(jiān)測(IVEEG)是癲癇外科重要的術(shù)前評估方法,在致癇灶的定位、定側(cè)中具有不可替代的價值,我們將IVEEG用于無創(chuàng)評估方法難以定位、定側(cè)的顳葉癲癇,現(xiàn)將應(yīng)用體會總結(jié)報道如下。

1. 顱內(nèi)電極類型:60例患者,行額-顳皮層電極植入34例(單側(cè)21例,雙側(cè)13例),額-顳前-顳枕交界電極植入7例(單側(cè)5例,雙側(cè)2例),深部電極聯(lián)合顳葉皮層電極植入7例, 雙顳皮層電極植入7例(其中聯(lián)合單額電極植入3例,聯(lián)合單側(cè)顳枕交界處電極植入1例),顳前-顳枕交界電極植入3例(單側(cè)1例,雙側(cè)2例),條狀電極聯(lián)合植入柵狀電極植入2例。

2. 手術(shù)方式:手術(shù)包括前顳葉切除術(shù)(切除范圍包括顳前葉、海馬、海馬旁回、溝回、杏仁核)50例,前顳葉切除術(shù)聯(lián)合額葉致癇灶切除7例,聯(lián)合胼胝體切開1例,顳后枕新皮層致癇灶切除+海馬部分切除2例。對術(shù)中腦電監(jiān)測顯示棘波廣泛的患者,必要時可同時行微電流熱灼術(shù)。

3. 并發(fā)癥:本組術(shù)后因腦水腫行去骨瓣減壓1例,因顱內(nèi)出血行血腫清除+去骨瓣減壓1例,無死亡病例。

4. 病理學檢查:60例患者中2例為節(jié)細胞膠質(zhì)瘤,1例曾行伽瑪?shù)吨委燂@示為放射性壞死,余57例患者病理符合顳葉內(nèi)側(cè)癲癇的病理學表現(xiàn)。

TLE是指起源于顳葉,以簡單部分發(fā)作、復雜部分發(fā)作或繼發(fā)性全身發(fā)作為特征的癲癇,手術(shù)是治療TLE的重要方法。典型TLE發(fā)作前有先兆如腹部上升感、似曾相識感,或有恐懼、幻嗅等表現(xiàn),繼之出現(xiàn)行動遲鈍、凝視、口咽自動癥、同側(cè)的肢體自動癥(如摸索)等表現(xiàn),約半數(shù)患者繼發(fā)全身強直-陣攣發(fā)作,發(fā)作后期出現(xiàn)嗜睡、定向障礙等,腦電圖檢查表現(xiàn)為前顳葉棘波或尖波放電,MRI表現(xiàn)為海馬萎縮、顳角擴大,PET表現(xiàn)為發(fā)作間期代謝減低,MRS表現(xiàn)為同側(cè)神經(jīng)元標志物N-己酰天門冬氨酸(NAA)信號減少。但如果以上表現(xiàn)不典型,腦電圖因棘波范圍廣泛不能定位,或合并其他部位癲癇的表現(xiàn),或存在多種發(fā)作形式,則單純依靠非侵襲性檢查方法難以定位,此時需進行侵襲性檢查方法,即顱內(nèi)電極植入。

由于sVEEG受顱骨、頭皮等傳導介質(zhì)的影響,只能提供癲癇放電的大概范圍,而IVEEG能夠精確、清楚地記錄到幾乎沒有干擾的發(fā)作起始階段的腦電信號,因此,IVEEG是判定癲癇起源的重要方法,能明顯提高致癇灶的定位和定側(cè)準確性,在致癇灶的定位、定側(cè)方面具有重要價值。由于不同患者的臨床發(fā)作癥狀、影像學和電生理結(jié)果不同,在應(yīng)用IVEEG之前,應(yīng)綜合評估,全面評價,根據(jù)不同情況選擇個體化的顱內(nèi)電極種類和植入方法。

首先,對不能定位的癲癇,尤其是多灶性癲癇,根據(jù)I期評估結(jié)果選擇電極種類和植入部位。當患者癲癇發(fā)作表現(xiàn)為復雜部分性發(fā)作的癥狀,MRI顳葉未見異常,腦電圖表現(xiàn)為單側(cè)額、顳棘波放電時,無創(chuàng)評估方法難以確定額或顳部起源,選擇單側(cè)額-顳電極植入,本組21例,方法為顱骨鉆孔,分別向額葉方向和顳前葉方向放置皮層條狀電極;對雙側(cè)額顳棘波放電時,選擇雙側(cè)的額-顳電極植入,本組13例。同樣,如果腦電圖表現(xiàn)為顳和顳枕棘波放電時,選擇單側(cè)顳前-顳枕交界電極植入(本組1例),對雙側(cè)顳前-顳枕交界放電時,選擇雙側(cè)電極植入(本組2例)。如果棘波范圍廣泛,腦電圖表現(xiàn)為一側(cè)額、顳和顳枕交界放電時,則選擇單側(cè)額-顳前-顳枕交界電極植入(本組5例),對雙側(cè)放電者選擇雙側(cè)電極植入(本組2例)。

其次,對不能定側(cè)的TLE,如MRI顯示的海馬硬化改變與腦電圖監(jiān)測結(jié)果不一致,或MRI陰性而VEEG顯示雙側(cè)顳葉棘波,應(yīng)進行海馬深部電極植入聯(lián)合顳葉皮層電極植入。對起源于單側(cè)的顳葉內(nèi)側(cè)癲癇,手術(shù)療效好,應(yīng)首選手術(shù)。但是對于雙側(cè)獨立起源的顳葉癲癇患者,應(yīng)根據(jù)患者情況慎重決定是否手術(shù)以及手術(shù)方式 。雖然顳葉癲癇放電的傳導多是在同側(cè)的額葉與顳葉內(nèi)部,但有時也可不經(jīng)過同側(cè)皮層,而通過海馬背部聯(lián)合直接向?qū)?cè)海馬結(jié)構(gòu)傳導。雙側(cè)顳葉異常癲癇樣放電是臨床上經(jīng)常遇到的癲癇類型之一,在確定癲癇起源側(cè)別時,為準確起見,多在雙側(cè)相同部位對稱安裝相同的深部電極,并配合皮層電極使用,即同時安裝海馬深部電極和顳葉皮層電極。本組深部電極聯(lián)合顳葉皮層電極植入7例,另有7例行雙顳皮層電極植入(其中聯(lián)合單額電極植入3例,聯(lián)合單側(cè)顳枕交界處電極植入1例),如僅放置顳葉皮層電極,放置時需盡量將條狀電極置于顳葉底部,包繞顳極卷向顳葉內(nèi)側(cè),使其靠近海馬旁回處,以記錄海馬旁回區(qū)域的放電。關(guān)于海馬深部電極的立體定向手術(shù)方式有兩種,①通過枕部鉆孔沿海馬長軸放置,利于判斷后頭部與海馬的關(guān)系,缺點是操作相對復雜;②垂直于顳葉通過顳中回放置,利于判斷前頭部與海馬的關(guān)系,手術(shù)操作相對簡便,可根據(jù)具體情況或術(shù)者習慣酌情選用。

在設(shè)計顱骨鉆孔的部位時,要兼顧切除性手術(shù)的切口進行設(shè)計。術(shù)后當天或次日行頭顱CT檢查,以確定電極位置,了解有無顱內(nèi)出血。部分患者行頭顱X線正側(cè)位平片檢查。

關(guān)于本組患者的手術(shù)方式,如果為單側(cè)起源,或雖為雙側(cè)起源但一側(cè)為主者,行單側(cè)前顳葉切除術(shù),本組50例(83%)。對于TLE合并額葉致癇灶的患者,在行前顳葉切除術(shù)的同時,根據(jù)術(shù)中腦電,聯(lián)合行額葉致癇灶切除,本組7例(12%)。本組1例患者,IVEEG顯示雙額雙顳棘波,但以左顳為主,臨床癥狀表現(xiàn)為迅速向?qū)?cè)擴散,患者有跌倒發(fā)作,在行前顳葉切除術(shù)的同時,聯(lián)合行胼胝體切開(2%)。本組2例患者,IVEEG顯示為顳后起源,但患者發(fā)作時有腹部上升感等顳葉內(nèi)側(cè)發(fā)作表現(xiàn),在行顳枕新皮層癇灶切除的同時,行海馬部分切除(3%)。

顱內(nèi)電極植入的并發(fā)癥,報道491例患者的感染與顱內(nèi)出血的幾率為1.8%和0.8%,而報道198例顱內(nèi)電極植入,出現(xiàn)5例感染(2.5%),6例血腫(3.0%)。本組患者因腦水腫行去骨瓣減壓1例,因顱內(nèi)出血行血腫清除+去骨瓣減壓1例,無死亡病例。本組除2例患者的術(shù)后病理學檢查為節(jié)細胞膠質(zhì)瘤,1例曾行伽瑪?shù)吨委燂@示為放射性壞死外,余57例病理符合顳葉內(nèi)側(cè)癲癇表現(xiàn)。

總之,當無創(chuàng)性的術(shù)前評估方法難以確定致癇灶時,IVEEG就是必須的選擇。但是,IVEEG是一種有創(chuàng)的檢查方法,不能無限性地覆蓋所有腦組織,所以仔細分析無創(chuàng)檢查的資料,選擇正確的顱內(nèi)電極植入位置是非常重要的。在現(xiàn)有技術(shù)條件下,IVEEG仍有其不可替代的應(yīng)用價值,應(yīng)用得當可使患者獲益。相信隨著IVEEG實施技術(shù)的成熟和檢測方法的不斷進步,其療效會進一步提高。

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